硫化鎵晶體（百分之99.995） GaS

簡(jiǎn)要描述：硫化鎵晶體 GaS（Gallium Sulfide）
晶體尺寸：~10毫米
電學(xué)性能：半導(dǎo)體
晶體結(jié)構(gòu)：六邊形
晶胞參數(shù)：a = 0.360, b = 0.640 nm, c = 1.544 nm, α = β = 90°, γ = 120°
晶體類(lèi)型：合成
晶體純度：＞99.995%

產(chǎn)品型號(hào)：
廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間：2026-04-09
訪問(wèn) 量：2377

產(chǎn)品咨詢聯(lián)系我們

產(chǎn)品分類(lèi)

二維材料

其他二維材料二維材料粉末二維材料溶液碲化物晶體硒化物晶體硫化物晶體絕緣體鈣鈦礦異質(zhì)結(jié) MOFS材料二維材料薄膜黑磷六方氮化硼查看全部產(chǎn)品

相關(guān)文章

詳細(xì)介紹

硫化鎵晶體 GaS(Gallium Sulfide)
晶體尺寸：~10毫米
電學(xué)性能：半導(dǎo)體
晶體結(jié)構(gòu)：六邊形
晶胞參數(shù)：a = 0.360, b = 0.640 nm, c = 1.544 nm, α = β = 90°, γ = 120°
晶體類(lèi)型：合成
晶體純度：＞99.995%

X-ray diffraction on a GaS single crystal aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 5 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 2, 4, 6, 8, 10, 12, 14